BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon et BSC077N12NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 - 120V OptiMOS 3 N-Ch MOSFET, 7.7mΩ | Infineon
BSC077N12NS3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSC093N15NS5ATMA1 | BSC077N12NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,83 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 5 150V | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 87 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | 9.3 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 139 W | — |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | 10 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen free status] | — |
| Part Family | — | OptiMOS 3 (120 V) |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 120 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 13.4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 98 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 139 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Automotive Grade | — | Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) |