BSC093N15NS5ATMA1 vs BSC100N10NSFGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC093N15NS5ATMA1 par Infineon et BSC100N10NSFGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC093N15NS5ATMA1 BSC100N10NSFGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,83 $1,49
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 5 150V MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 87 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V 9.3 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC 139 W —
Boîtier SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended 10 V —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Sans halogène [DATA_NEEDED: halogen free status] —
Series — OptiMOS
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID), Ta — 11.4 A
Continuous Drain Current (ID), Tc — 90 A
Power Dissipation (PD), Tc — 156 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 10 mΩ
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (for rated RDS(on))

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis