BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC060N10NS3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC094N06LS5ATMA1 par Infineon et BSC060N10NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 - 100V 6mOhm OptiMOS 3 N-FET | Infineon

BSC060N10NS3GATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC094N06LS5ATMA1 BSC060N10NS3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,78
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS 3 (Trench MOSFET)
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C -55 C to +150 C
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 14.9 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 6 mOhm
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 125 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 3.5 V
Lead-Free — Yes
Sans halogène — [DATA_NEEDED: halogen status]
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss value]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS value]

Fiches techniques et ressources

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