BSC094N06LS5ATMA1 vs BSC0906NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC094N06LS5ATMA1 par Infineon et BSC0906NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC094N06LS5ATMA1 BSC0906NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,48
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC094N06LS5ATMA1 —
Technology OptiMOS™ 5 (logic-level) OptiMOS
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 47 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 9.4 mΩ —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 36 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8, 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 63 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 30 W
RDS(on) max (typical reference) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction, typical)
Nombre de broches — 8

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis