BSC117N08NS5ATMA1 vs BSZ110N08NS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC117N08NS5ATMA1 par Infineon et BSZ110N08NS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC117N08NS5ATMA1 | BSZ110N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,46 | $0,44 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC117N08NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max | 49 A (Tc) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 11.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 50 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Part Family | — | OptiMOS 5 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 40 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 11 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Polarity | — | N-Channel |
| Configuration | — | Single MOSFET |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS rating] |