BSC117N08NS5ATMA1 vs IAUCN04S7N012ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC117N08NS5ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N012ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC117N08NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 - 80V 49A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

BSC117N08NS5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC117N08NS5ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC117N08NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 OptiMOS-7 (trench)
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) max 49 A (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 11.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 50 W —
Boîtier PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 8 —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] [DATA_NEEDED: Qg typical]
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 120 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.2 mΩ
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max]
Transistor Grade — Automotive (AEC-Q101)
Dissipation de puissance (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C]
Thermal Resistance RθJA — [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB]
Sans halogène — Yes
Polarity — N-Channel

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