BSC118N10NSGATMA1 vs BSC146N10LS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC118N10NSGATMA1 par Infineon et BSC146N10LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC118N10NSGATMA1 | BSC146N10LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 2 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement (Normal Level) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 11 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 71 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 114 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 5x6 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Technology | Trench MOSFET | OptiMOS 5 (logic-level) |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per target application | — |
| Target Application | High-frequency SMPS, synchronous rectification | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C | — | 44 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 14.6 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic-level (typ. ~1.7 V) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 52 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +150 C (TJ max) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS] |