BSC123N08NS3GATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSC123N08NS3GATMA1 par Infineon et BSC047N08NS3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSC123N08NS3GATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,71 | $0,46 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Configuration | Single with built-in body diode | — |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Tc) | 55 A | — |
| Maximum Continuous Drain Current (ID, Ta) | 11 A | — |
| Maximum Pulsed Drain Current | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10 V | 12.3 mOhm | — |
| Maximum Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| Power Dissipation (Tc) | 66 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Statut RoHS | Compliant with exemption | — |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101) | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 18 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |