BSC146N10LS5ATMA1 vs BSC265N10LSFGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC146N10LS5ATMA1 par Infineon et BSC265N10LSFGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSC146N10LS5ATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 - 100V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

BSC146N10LS5ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC146N10LS5ATMA1 BSC265N10LSFGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,74 $0,72
Technology OptiMOS 5 (logic-level) OptiMOS 2 (TrenchFET)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25 C 44 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max at VGS=10 V 14.6 mOhm —
RDS(on) max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (typ. ~1.7 V) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ max) -55 C to +150 C (junction)
Boîtier PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (TDSON-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 40 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 6.5 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total at VGS=10V]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes
Series — OptiMOS 2

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