BSC155N06NDATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSC155N06NDATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSC155N06NDATMA1 BSC014N04LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC155N06NDATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel trench) Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Configuration Dual N-channel MOSFET array —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 15.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +175C
Boîtier PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 5x6 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Power Dissipation (Tc=25C) 50 W —
Niveau MSL 1 1 (unlimited)
Statut RoHS Compliant (Pb-free plating) Compliant
Lead-Free Plating Yes —
Shoot-Through Immunity Qgd/Qgs < 0.8 —
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V

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