BSL308CH6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSL308CH6327XTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSL308CH6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,21 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs | — |
| Configuration | Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel) | — |
| Boîtier | PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 30 V | -100 V |
| Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) | 2.3 A | — |
| Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) | 2 A | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch] | — |
| On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 5 nC @ 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 18 pF | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C | -55 C to +150 C (junction) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Automotive Qualified | Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes (per Infineon product family convention) | — |
| FET Type | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nombre de broches | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Technology | — | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |