BSP135H6327XTSA1 vs BSD214SNH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSP135H6327XTSA1 par Infineon et BSD214SNH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BSP135H6327XTSA1 BSD214SNH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,43 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSP135H6327XTSA1 —
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) 120 mA —
Power Dissipation (PD) 1.8 W —
On-Resistance RDS(on) max 45 ohm at VGS = 0 V —
On-Resistance RDS(on) 25 ohm (typical, per digchip) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Operating Mode Normally ON (depletion) —
Boîtier PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology SIPMOS (planar DMOS) MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction, typical) -55C to +150C (junction)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 1
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) at 25C — 1.5 A
Power Dissipation (Pd) at Ta — 500 mW
Gate Drive Voltage (Rds On rated) — 2.5 V, 4.5 V
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V]
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V — [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V]
Vgs(th) (typical) — [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead Plating — Pb-free
Standard Pack Quantity — 3000 (Tape & Reel)

Fiches techniques et ressources

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