BSP135H6327XTSA1 vs BSP316PH6327XTSA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSP135H6327XTSA1 par Infineon et BSP316PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSP135H6327XTSA1 | BSP316PH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,43 | $0,21 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSP135H6327XTSA1 | — |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 mA | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 45 ohm at VGS = 0 V | — |
| On-Resistance RDS(on) | 25 ohm (typical, per digchip) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Operating Mode | Normally ON (depletion) | — |
| Boîtier | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) | PG-SOT223-4 (TO-261-4) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | SIPMOS (planar DMOS) | SIPMOS (P-channel MOSFET) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction, typical) | -55 C to +150 C (junction) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | -680 mA |
| Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C | — | 1.8 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Nombre de broches | — | 3 + thermal tab |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Packaging | — | Tape & Reel (H6327 suffix) |