BSR802NL6327HTSA1 vs BSP315PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSR802NL6327HTSA1 par Infineon et BSP315PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 - 60V P-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

BSP315PH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSR802NL6327HTSA1 BSP315PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,31
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSR802NL6327HTSA1 —
Technology OptiMOS 2 (N-Channel Trench MOSFET) OptiMOS (enhancement mode)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 20 V —
Continuous Drain Current (ID) max 3.7 A (Ta=25C) —
Power Dissipation (PD) max 500 mW (Ta=25C) —
On-Resistance (RDS(on)) typ 23 mOhm @ VGS=4.5 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Boîtier PG-SC59-3 (SC-59 / SOT-346) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 pinout with exposed tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Qualification Automotive —
Statut RoHS Compliant —
Nombre de broches 3 —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) — -1.17 A (Ta)
Power Dissipation (PD) — 1.8 W (Ta)
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V (max)
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10 V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C (junction)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet)
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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