BSS214NH6327XTSA1 vs BSS316NH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS214NH6327XTSA1 par Infineon et BSS316NH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS214NH6327XTSA1 BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 - 20V 1.5A N-Ch MOSFET SOT-23 | Infineon

BSS214NH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS214NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,13
FET Type N-Channel N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 1.5 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 250 mOhm at VGS = 4.5 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-Source Voltage (VGS max) ±12 V (recommended) —
Technology OptiMOS 2 (planar N-channel) OptiMOS 2 (Trench)
Boîtier SOT-23 (PG-SOT23), 3 pins PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Lead Finish Pb-free lead plating (matte tin) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
ESD Protection Yes (gate ESD diode) —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
Plage de température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

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