BSS84PH6327XTSA2 vs BSS83PH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BSS84PH6327XTSA2 par Infineon et BSS83PH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
BSS83PH6327XTSA1 BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 - 60V P-Channel MOSFET 330mA | Infineon

BSS83PH6327XTSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre BSS84PH6327XTSA2 BSS83PH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,10 $0,11
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS84PH6327XTSA2 —
FET Type P-Channel P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) -60 V —
Continuous Drain Current (ID) -170 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 360 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) max 8 ohm at VGS = -10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Boîtier PG-SOT23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C —
Qualification AEC-Q101 (Automotive) Automotive grade per Infineon
Technology Family SIPMOS OptiMOS —
Polarity P-Channel Enhancement Mode —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Technology — MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 330 mA
Pulsed Drain Current (IDM) — 1.3 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V — 2.0 ohm (max)
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -2.5 V (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 360 mW
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +150 C
Process Technology — SIPMOS / OptiMOS

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