BSZ031NE2LS5ATMA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ031NE2LS5ATMA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ031NE2LS5ATMA1 | BSC014N04LSATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,26 | $0,74 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSZ031NE2LS5ATMA1 | — |
| Technology / Platform | OptiMOS 5 25V/30V N-channel trench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 25 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 19 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 40 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10 V | 3.1 mOhm | — |
| RDS(on) typical @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Power Dissipation at Ta=25C | 2.1 W | — |
| Power Dissipation at Tc=25C | 30 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL] | 1 (unlimited) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 100 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 96 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Technology | — | Trench (OptiMOS 5, thin-wafer) |