BSZ070N08LS5ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ070N08LS5ATMA1 par Infineon et IAUC100N04S6L020ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ070N08LS5ATMA1 | IAUC100N04S6L020ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,78 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS™ 5 (80 V logic-level) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 74 A (Tc, per datasheet) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA / Si | [DATA_NEEDED: TA-rated ID] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 7 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (drive compatible with 4.5 V) | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total Qg] | — |
| Power Dissition PD max at TC | 69 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55 °C to +150 °C | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) Surface Mount | PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020, unleaded reflow) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Reel Quantity | 5000 per 13-inch reel (T&R) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 75 W |
| RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A | — | 2.04 mΩ |
| RDS(on) Typical | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Voltage VGS (max) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical | — | 2.0 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Qualification | — | Automotive grade |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1) |