BSZ096N10LS5ATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BSZ096N10LS5ATMA1 par Infineon et BSC094N06LS5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 - 100V 9.6mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
BSZ096N10LS5ATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BSZ096N10LS5ATMA1 | BSC094N06LS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,94 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | 20 V (typical) | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25 °C) | 40 A | — |
| Maximum Silicon Drain Current (ID max) | 62 A | — |
| Pulse Drain Current (ID,pulse) | 160 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 9.6 mΩ at VGS=10 V | — |
| Total Power Dissipation (Ptot, TC=25 °C) | 69 W | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (low single-volt range) | — |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | 40 A (TC=25 °C) | — |
| Diode Forward Voltage (VSD) | 0.85 V typ, 1.2 V max at IF=20 A | — |
| Boîtier | PG-TSDSON-8-FL (PQFN 3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS™ 5 (logic-level) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ESD Protection | Yes (gate-integrated) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging Code | ATMA1 (tape and reel) | — |
| Part Number | — | BSC094N06LS5ATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 47 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 9.4 mΩ |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 36 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +150 °C |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |