BTS500801TEAAUMA1 vs BTS3110NHUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS500801TEAAUMA1 par Infineon et BTS3110NHUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS500801TEAAUMA1 BTS3110NHUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,74 $0,82
Product Family Classic PROFET (smart high-side switch) —
Topologie 1:1 N-Channel high-side —
Nominal Supply Voltage 12 V —
Load Supply Voltage Range 4.5 V to 28 V —
Continuous Load Current 10 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 10 milliohms (typical) —
Configuration de sortie High-side —
Number of Channels 1 1
Fault Protection Current limiting, over-temperature, over-voltage, reverse battery, ground loss, ESD —
Diagnostic Output Current sense (IS pin) —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +150 C
Boîtier PG-TO252-5-11 (DPAK-5, 4+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-4)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q100 target application) Yes - 12 V automotive applications
Statut RoHS Compliant Compliant
Power Transistor Technology N-channel vertical power MOSFET with charge pump —
Product Type — Smart Low-Side Power Switch
Family — Classic HITFET
Switch Type — N-Channel (1:1)
Maximum Drain-to-Source Voltage (VDS max) — 42 V
Continuous Drain Current — 1.4 A
On-Resistance (RDS(on) typ) — 200 mOhm
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS (3.3 V and 5 V)
On-State Input Voltage (VIH) — [DATA_NEEDED: VIH value]
Off-State Input Voltage (VIL) — [DATA_NEEDED: VIL value]
Status Flag Output — Open-drain diagnostic output
Protection Features — ESD, thermal shutdown, over-load current limit
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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