BTS51202EKAXUMA1 vs BTF3050TEATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTS51202EKAXUMA1 par Infineon et BTF3050TEATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTS51202EKAXUMA1 BTF3050TEATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $1,38
Topologie Dual High-Side Switch (2 channels) —
Technology Smart6 (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
Number of Channels 2 —
On-State Resistance (RDS(on)) 120 mΩ (typical per channel) —
Continuous Output Current 2 A per channel (typical 2.5 A) —
Operating Voltage (Vbb) 8 V to 18 V —
Load Type Lamps up to 1×10 W, LEDs, resistive/inductive loads —
Boîtier PG-DSO-14-40-EP (14-pin SOIC with exposed pad) PG-TO252-5-11 (DPAK-5)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (DPAK tab)
Température de fonctionnement -40 °C to +150 °C —
Maximum Power Dissipation 1800 mW —
Integrated Protection Over-current, Short-circuit, Over-temperature, Over-voltage, Under-voltage lockout, Reverse battery —
Diagnostic Output Yes (status feedback pin) —
Charge Pump Integrated —
Automotive Qualified Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Switch Type — N-Channel Low-Side Power Switch
Configuration de sortie — 1:1 (Single channel)
Continuous Drain Current (ID) — 3 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 100 mOhm
Current Limit (Internal) — 30 A
Logic Input Voltage (Vcc) — 3.0 V to 5.5 V
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS
Turn-On Time Max — 15 us
Turn-Off Time Max — 30 us
Adjustable Slew Rate — Yes (SR pin)
ESD Protection — Yes (on-chip)
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Family — HITFET+ (low-side)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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