BTT62001ENAXUMA1 vs TLE75080ESHXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de BTT62001ENAXUMA1 par Infineon et TLE75080ESHXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre BTT62001ENAXUMA1 TLE75080ESHXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $2,05
Product Type Smart High-Side Power Switch —
Topologie 1:1 N-Channel High-Side High-side, N-channel MOSFET with charge pump
On-State Resistance (Ron) 200 mΩ (typical) —
Continuous Load Current 1.5 A —
Operating Voltage Range 5 V to 48 V [DATA_NEEDED: VS/VBAT range]
Technology Smart6 HV (N-channel vertical MOSFET with charge pump) —
Boîtier PG-TDSO-8-31 (DSO-8 with exposed pad) PG-TSDSO-24-21 (TSDSO-24, exposed thermal pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Protection Features Overload, Short-Circuit, Over-Temperature, Over-Voltage, Reverse Battery —
Diagnostic Output Current Sense (IS) pin —
Lamp Drive Capability 1 × R10W at 24 V or 1 × R5W at 12 V —
Température de fonctionnement -40 °C to +150 °C junction -40 C to +150 C (junction, AEC-Q100)
Niveau MSL 2A (4 weeks) —
ECCN EAR99 —
REACH Status REACH Unaffected —
Fonction — 8-channel high-side power switch with 16-bit SPI
Number of Channels — 8
Channel Current (continuous) — 330 mA per channel
Interface — 16-bit SPI, plus parallel input
PWM Capability — Integrated PWM generators per channel
Nominal Supply Voltage (VBAT) — 12 V (automotive)
Limp Home Mode — Yes (predefined safe pattern on SPI loss)
Per-channel Diagnostics — Open load, short to GND, short to VBAT, overtemperature
Fault Behavior — Selectable latching or auto-restart
Automotive Qualification — AEC-Q100
Statut RoHS — Compliant
Technology Family — Infineon SPIDER (Smart Power)

Fiches techniques et ressources

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