DG441DYZ vs ISL43240IRZ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DG441DYZ par Renesas Electronics et ISL43240IRZ par Renesas Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Renesas Electronics
ISL43240IRZ ISL43240IRZ - Quad SPDT CMOS Analog Switch | Renesas

ISL43240IRZ - Quad SPDT CMOS Analog Switch | Renesas

ISL43240IRZ ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre DG441DYZ ISL43240IRZ
Marque Renesas Electronics Renesas Electronics
Catégorie Interface ICs Interface ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,62 $2,65
Switch Type SPST (Single-Pole Single-Throw), 4 independent channels —
Number of Circuits 4 —
On-Resistance (Ron) 85 Ω (typical) 25 Ω typical
On-Resistance Flatness [DATA_NEEDED: Ron flatness] —
Supply Voltage (Single) +5 V to +34 V —
Supply Voltage (Dual) ±5 V to ±22 V —
Maximum Signal Voltage 44 V (allows 40 Vp-p signals) —
Turn-On Time (tON) 250 ns (typical) —
Turn-Off Time (tOFF) [DATA_NEEDED: tOFF] —
Bandwidth (-3 dB) 200 MHz (typical) —
Channel-to-Channel Crosstalk [DATA_NEEDED: crosstalk] —
Off-Isolation [DATA_NEEDED: off-isolation] —
Leakage Current (Switch Off) [DATA_NEEDED: Ioff] —
Charge Injection [DATA_NEEDED: QINJ] —
Logic Input Compatibility TTL and CMOS, with on-chip Vref threshold translator TTL/CMOS, VIH ≥ 1.65 V, VIL ≤ 0.5 V
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C -40 °C to +85 °C (Industrial)
Boîtier 16-SOIC (0.154" / 3.90 mm width) 20-QFN (4x4 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Latch-up Protection Yes (epitaxial CMOS process) —
Statut RoHS Compliant (per Heisener listing) Compliant
Fonction — Quad SPDT Analog Switch (4x SPDT)
Number of Channels — 4 circuits, Switch 2:1 (SPDT)
Ron Flatness — 5 Ω maximum
Single-Supply Range — +2 V to +12 V
Dual-Supply Range — ±2 V to ±6 V
Switching Time tON — 52 ns
Switching Time tOFF — 40 ns
Leakage Current — 5 nA maximum
Power Consumption — 5 µW typical

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