DS28EC20+ vs DS2431G+U Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de DS28EC20+ par Analog Devices et DS2431G+U par Analog Devices. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre DS28EC20+ DS2431G+U
Marque Analog Devices Analog Devices
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,05 $1,45
Type de mémoire Non-Volatile EEPROM (1-Wire) EEPROM (Non-Volatile)
Taille de mémoire 20 Kbit (20480 bit) 1 Kbit (1024 bits)
Memory Organization 80 pages × 256 bits + 1 control page 4 pages x 256 bits (32 bytes)
Interface 1-Wire (single-contact serial) 1-Wire® (single-contact DQ + GND)
Standard Speed (max) 15.4 kbps —
Overdrive Speed (max) 90 kbps —
Operating VPUP Range 2.8 V to 5.25 V (overdrive requires 4 V to 5.25 V) —
Write Endurance 200k cycles per page [DATA_NEEDED: end-cycle write cycles]
Data Retention >40 years [DATA_NEEDED: years]
Scratchpad Size 32 bytes 8 bytes (64 bits)
Programming Time (tPROG) 10 ms (max) —
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C -40 °C to +85 °C
Boîtier TO-92-3 (through-hole) 2-SFN (6.0 mm x 6.0 mm leadless)
Type de montage Through Hole Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Status Yes —
Unique 64-bit ROM ID Yes (factory-lasered) —
Backward Compatibility DS2433 (4 Kbit 1-Wire EEPROM) —
Write Cycle Time — 2 µs (scratchpad write)
Unique ROM ID — 64-bit (8-byte family code + 6-byte serial + CRC)
Write Protection — Per-page, selectable; EPROM-emulation mode (1→0 only)
Storage Temperature — -55 °C to +125 °C (per datasheet Absolute Maximum Ratings)
Supply (Parasite Power via DQ) — 2.8 V to 5.25 V (pull-up VPU)
ESD Protection — [DATA_NEEDED: HBM/CDM rating]
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes

Fiches techniques et ressources

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