EP1S20F484C6N vs EP1S10F484C6N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP1S20F484C6N par Intel et EP1S10F484C6N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP1S20F484C6N EP1S10F484C6N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $440,00 $226,31
Family Stratix Stratix
Logic Elements 18,460 —
Embedded Memory 1,669,248 bits —
DSP Blocks [DATA_NEEDED: DSP block count] —
User I/O Pins 361 —
Boîtier 484-Ball FCBGA (23 x 23 mm, 1.0 mm pitch) 484-FBGA (23 × 23 mm, 1.0 mm pitch)
Process Technology 130 nm CMOS 130 nm CMOS
Core Supply Voltage 1.5 V —
I/O Supply Voltage [DATA_NEEDED: I/O voltage - check datasheet] —
Température de fonctionnement 0 C to 85 C (Commercial) 0 °C to 85 °C (TJ)
Speed Grade 6 C6
Maximum Internal Clock 450.05 MHz —
Configuration Interface JTAG (IEEE 1149.1), Serial/Parallel (AS/PS) - EPC device compatible —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMT)
Statut RoHS [DATA_NEEDED: confirm via Intel product page] —
Lead-Free [DATA_NEEDED: confirm] —
Logic Elements / Cells — 10,570
Number of LABs / CLBs — 1,057
Total RAM Bits — 920,448
Number of User I/O — 335
Supply Voltage - Operating — 1.425 V to 1.575 V (core 1.5 V)
Lead Free — Yes
Configuration Method — SRAM - volatile (JTAG / passive serial / passive parallel / fast passive parallel)
I/O Standards Supported — LVTTL, LVCMOS, PCI, SSTL, HSTL, LVDS
On-chip Resources — TriMatrix memory (M512, M4K, M-RAM), DSP blocks, PLLs

Fiches techniques et ressources

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