EP1S80F1508C6AA vs EP1S80B956C6AA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP1S80F1508C6AA par Intel et EP1S80B956C6AA par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Intel
EP1S80F1508C6AA - Stratix 79K LE FPGA, 1508-FBGA, 7427520 gates | Intel
EP1S80F1508C6AA Obsolete
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP1S80F1508C6AA | EP1S80B956C6AA |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $175,00 | $215,00 |
| Series | Stratix | — |
| Logic Elements | 79,040 | 79,040 |
| Equivalent System Gates | 7,427,520 | — |
| Maximum User I/O | 1203 | — |
| Boîtier | 1508-BBGA, FCBGA (40 mm) | 956-BGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (Commercial) | Commercial (0C to +85C) - inferred from C6 suffix |
| Speed Grade | C6 | C6 |
| Supply Voltage (Core) | [DATA_NEEDED: core VCC] | — |
| Process Technology | 0.13 µm CMOS | — |
| Embedded Memory | TriMatrix (M512, M4K, M-RAM) | — |
| DSP Blocks | Yes (embedded multipliers) | [DATA_NEEDED: DSP block count] |
| PLLs | Up to 12 | 6 |
| Configuration Method | Serial/Parallel/JTAG | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance] | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 hours) | — |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free status] | — |
| Family | — | Stratix |
| Process Node | — | 130 nm |
| M4K RAM Blocks | — | 742 |
| Total Embedded Memory | — | [DATA_NEEDED: total embedded memory bits] |
| User I/O Pins | — | 683 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.5 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | MultiVolt (1.5 V, 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V) |
| Configuration Scheme | — | Active Serial / Passive Serial / JTAG |
| Legacy Status | — | Obsolete - Mult Device EOL 1/Jun/2017 |