EP2A40F672C9N vs EP2A40F672I-9 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP2A40F672C9N par Intel et EP2A40F672I-9 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP2A40F672C9N EP2A40F672I-9
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $295,00 $165,00
Family APEX II APEX II
Device Name EP2A40 —
System Gates 1,500,000 1,500,000
Logic Elements 38,400 38,400
User I/Os 492 —
Embedded RAM (ESB) [DATA_NEEDED: ESB total RAM bits] —
Boîtier BGA-672 (27 x 27 mm, 1.0 mm pitch) 672-pin FC-FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
Package Code FC-FBGA / PBGA672 —
Speed Grade C9 (~1.55 ns propagation delay) -9
Process Technology 0.15 µm all-layer copper, up to 8 metal layers 0.15 µm CMOS
Core Voltage 1.5 V —
Internal Frequency 366 MHz —
LVDS Data Rate 1 Gbps —
Propagation Delay 1.55 ns —
Température de fonctionnement 0 °C to +85 °C (commercial) -40 °C to +100 °C (Industrial)
Type de montage Surface Mount —
Logic Family CMOS (SRAM-based configuration) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Device — EP2A40
Maximum Operating Frequency — 366 MHz
Core Voltage (VCCINT) — 1.5 V
I/O Voltage (VCCIO) — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (banked)
True-LVDS Channels — Yes (dedicated)
Embedded Memory — Dual-port RAM, single-port RAM, ROM, CAM (via ESBs)
Hot Socketing — Supported
Configuration Mode — Passive serial, passive parallel synchronous, passive parallel asynchronous, JTAG
Moisture Sensitivity Level — MSL 3
Peak Reflow Temperature — 220 °C

Fiches techniques et ressources

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