EP2C50U484C8N vs EP2C50U484C6N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP2C50U484C8N par Intel et EP2C50U484C6N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP2C50U484C8N | EP2C50U484C6N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | NRND |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $155,85 | $198,50 |
| Series | Cyclone II | Cyclone II |
| Family | Cyclone II (90 nm) | — |
| Logic Elements (LE) | 50,528 | — |
| Embedded Memory (M4K blocks) | 594,432 bits (129 M4K blocks) | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 86 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/Os | 294 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| Speed Grade | C8 (commercial, mid-tier) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (Commercial) |
| Boîtier | 484-ball FBGA (UBGA-484) | 484-pin UBGA (Ultra FineLine BGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | 90 nm low-k CMOS | 90 nm CMOS, low-k dielectric |
| Configuration Methods | Passive Serial, Active Serial, JTAG | — |
| Memory Interface Support | DDR, DDR2, SDR SDRAM, QDRII SRAM | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | — |
| Logic Elements | — | 50,528 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 3,158 |
| Total Memory Bits | — | 594,432 |
| Embedded Multiplier Blocks (DSP) | — | 250 (18x18) |
| User I/O Pins | — | 294 |
| Maximum User I/O | — | 315 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Internal Frequency | — | up to 500 MHz |
| Configuration Mode | — | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) |
| Lead Free | — | Yes |