EP2S130F1020C3 vs EP2S180F1020C3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP2S130F1020C3 par Intel et EP2S180F1020C3 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP2S130F1020C3 EP2S180F1020C3
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie NRND Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1 295,00 $1 280,00
Series Stratix II Stratix II
Family Stratix II —
Logic Elements / Cells 132,540 —
Logic Array Blocks (LABs) 6,627 8,970
User I/Os 742 —
Embedded Memory (TriMatrix) [DATA_NEEDED: total Mbits] —
DSP / Multiplier Blocks [DATA_NEEDED: DSP block count] —
Transceivers Logic-rich SKU (no transceiver; transceiver variants use different suffix) —
Maximum Internal Frequency 778.82 MHz (per family datasheet) —
Process Technology 90 nm —
Core Supply Voltage (VCCINT) 1.15 V to 1.25 V —
Boîtier / Format 1020-BBGA (FC-FBGA), 33x33 mm —
Supplier Device Package 1020-FBGA (33x33) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to +85C (commercial, 'C' speed grade) Commercial (0C to +85C)
Speed Grade C3 (commercial, -3 speed) C3
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Device Family — EP2S180
Equivalent Logic Elements (LEs) — 179,400
Embedded Memory (RAM bits) — 9,383,040
Maximum User I/Os — 742
Boîtier — 1020-ball FBGA (flip-chip BGA)
Process Node — 90 nm, all-layer copper SRAM
Core Voltage — 1.2 V
DSP Blocks — Dedicated high-speed multipliers
Memory Interfaces Supported — DDR2 SDRAM, QDRII SRAM, RLDRAM II
I/O Standards — LVDS, LVPECL, SSTL, HSTL
Configuration Method — SRAM-based (volatile, requires boot device)
Development Toolchain — Quartus II / Quartus Prime

Fiches techniques et ressources

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