EP3C5F256C7N vs EP3C5U256A7N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP3C5F256C7N par Intel et EP3C5U256A7N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP3C5F256C7N | EP3C5U256A7N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,20 | $16,20 |
| Family | Cyclone III | — |
| Device Type | FPGA - Field Programmable Gate Array | — |
| Logic Elements (LEs) | 5,136 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 182 | — |
| Total Embedded Memory | 423,936 bits (414 Kbit) | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 23 | [DATA_NEEDED: 18x18 multiplier count] |
| M9K Memory Blocks | 46 | — |
| User I/Os | 182 | — |
| User I/O Banks | 8 | — |
| PLLs | 2 | — |
| Boîtier | 256-LBGA (FineLine BGA, 17x17 mm) | — |
| Speed Grade | -7 (commercial, slowest C-tier) | -7 |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C (commercial, per 'C' speed bin) | — |
| Core Voltage | 1.2 V (nominal) | — |
| Process Technology | 65 nm low-power CMOS | — |
| Lead-Free / Pb-Free | Yes (suffix 'N' denotes lead-free) | — |
| Configuration Modes | JTAG, AS, AP, PS | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free FBGA) | Compliant |
| Series | — | Cyclone III |
| Logic Elements | — | 5,136 LE |
| Embedded Memory | — | 414 kbit (423,936 bits) |
| Number of I/Os | — | 182 |
| Operating Supply Voltage (Core) | — | 1.15 V to 1.25 V |
| Style de montage | — | SMD/SMT |
| Boîtier / Format | — | BGA-256 (U256 Ultra FineLine) |
| Packaging | — | Tray |
| Minimum Operating Temperature | — | -40 C |
| Maximum Operating Temperature | — | +125 C (Automotive grade) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Adaptive Logic Modules (ALMs) | — | [DATA_NEEDED: ALM count] |
| Number of PLLs | — | 4 |
| Process Node | — | 60 nm low-power CMOS |