EP3SE260F1517C3N vs EP3SE260F1517I3N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE260F1517C3N par Intel et EP3SE260F1517I3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP3SE260F1517C3N | EP3SE260F1517I3N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9 850,00 | $2 275,00 |
| Family | Stratix III E | Stratix® III E |
| Logic Elements | 254,400 | 255,000 |
| Embedded Memory | 16,672,768 bits (16.7 Mbits) | — |
| User I/Os | 976 | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 816 | — |
| M9K Memory Blocks | 1,040 | — |
| Maximum Transceiver Data Rate | 600 Mbps | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 16 | — |
| Boîtier | 1517-BBGA (FCBGA) | 1517-ball FC-FBGA |
| Process Technology | 65 nm TSMC low-power CMOS | 65 nm |
| Speed Grade | C3 (commercial) | -3 (fastest) |
| Température de jonction en fonctionnement | 0 C to +85 C (commercial) | -40 °C to +100 °C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| External Memory Interfaces | DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM2 | — |
| Embedded Memory Bits | — | 16,672,768 bits |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10,200 |
| User I/O Count | — | 976 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (I): -40 °C to +100 °C |
| Configuration Method | — | JTAG / Passive Serial / Active Serial |
| Lead-Free | — | Yes |
| Internal Logic Performance | — | Up to 500 MHz |
| Memory Subsystems | — | M9K + M144K block RAM, DDR2/DDR3/QDR II+ controllers |
| DSP Blocks | — | Yes (dedicated multiply-accumulate) |