EP3SE50F780C4LN vs EP3SE50F780C4LG Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP3SE50F780C4LN par Intel et EP3SE50F780C4LG par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP3SE50F780C4LN EP3SE50F780C4LG
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $650,00 $289,50
Family Stratix III E Stratix III E (Enhanced)
Logic Elements 47,500 47,500 LE
LABs (Logic Array Blocks) 1,900 —
Embedded Memory 5,760,000 bits 5.49 Mbit
User I/Os 488 488 I/O
Boîtier 780-ball FC-FBGA 780-BBGA, FCBGA (FBGA-780, 1.0 mm pitch)
Process Node 65 nm —
Core Voltage 0.9 V —
Speed Grade C4 -4 (fastest commercial)
Température de fonctionnement 0°C to 85°C (Commercial) —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount (SMT)
Lead-Free / RoHS Yes (L suffix) —
Maximum Toggle Frequency 375 MHz —
Configuration Modes Passive Serial, Fast Passive, Active Serial (AS), Active Parallel (AP), JTAG —
DSP Blocks Yes (embedded multipliers) —
Block RAM Type M9K + M144K —
Memory Architecture SRAM-based, reprogrammable —
Statut RoHS Compliant —
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000 ALM
Number of Logic Array Blocks (LABs) — [DATA_NEEDED: LAB count]
DSP Blocks (18x18 multipliers) — [DATA_NEEDED: DSP block count]
Transceivers — [DATA_NEEDED: transceiver count and rate]
Process Technology — 40 nm TSMC low-power CMOS
Operating Temperature (Commercial) — 0 C to +85 C
Core Voltage (VCCINT) — 0.9 V / 1.0 V / 1.1 V (programmable)
Tension d'alimentation de fonctionnement — 1.1 V (logic core nominal)
Lead-Free Status — Pb-free (LG suffix)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) — MSL 3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis