EP4CE6F17C8L vs EP4CE6F17C8 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE6F17C8L par Intel et EP4CE6F17C8 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EP4CE6F17C8L EP4CE6F17C8
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $11,10 $19,85
Series Cyclone IV E —
Logic Elements / Cells 6,272 —
Number of CLBs 392 —
Number of Logic Elements / Cells 6,272 —
Total RAM Bits 270,000 —
Number of I/O 179 max —
Number of Gates [DATA_NEEDED: gate count for EP4CE6] —
Voltage - Supply 1.0 V core, 2.5 V / 3.3 V I/O —
Température de fonctionnement 0C to +85C (commercial, L grade) 0 C to 85 C (commercial, C8 speed grade)
Speed Grade C8 (commercial speed grade 8) C8
Boîtier / Format 256-LBGA, 17 x 17 mm, 1.0 mm pitch (F17) —
Type de montage Surface Mount —
Number of LABs/CLBs 392 —
Embedded Multipliers (18x18) 15 —
PLLs 4 2
Configuration Memory External (EPCS / EPCQ serial flash) —
Niveau MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Device Family — Cyclone IV E
Logic Elements (LEs) — 6,272
Logic Array Blocks (LABs) — 392
Embedded Memory Bits — 276,480
M9K Memory Blocks — 30
Embedded 18 x 18 Multipliers — 15
Global Clock Networks — 10
Maximum User I/Os — 179
Boîtier — 256-ball FBGA (F17), 1.0 mm pitch, 17 x 17 mm
Process Technology — 60 nm low-power SRAM
Core Supply Voltage — 1.0 V to 1.2 V
Configuration Modes — JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS), Fast Passive Parallel (FPP)
I/O Standards Supported — LVTTL, LVCMOS, LVDS, SSTL, HSTL

Fiches techniques et ressources

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