EPF10K200EBC600-3 vs EPF10K200EBI600-2N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF10K200EBC600-3 par Intel et EPF10K200EBI600-2N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF10K200EBI600-2N EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N - 200K Gates FLEX 10KE FPGA | Intel

EPF10K200EBI600-2N Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF10K200EBC600-3 EPF10K200EBI600-2N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $575,00 $140,00
Family FLEX 10KE FLEX 10KE
Series FLEX-10KE —
System Gates 200,000 —
Logic Elements / Cells 9,984 —
Logic Array Blocks (LABs) 1248 —
Embedded Memory (EABs) 24,576 bits —
Maximum User I/O 470 —
Number of PLLs 4 —
Core Voltage 2.5 V (2.375 V to 2.625 V) —
Process Technology 0.22 micrometer SRAM —
Speed Grade -3 (commercial) —
Boîtier 600-ball FineLine BGA, 45 x 45 mm 600-ball BGA (45 mm x 45 mm, 1.27 mm pitch)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement 0C to +70C (commercial) 0 °C to +70 °C (commercial)
JTAG Support Yes (IEEE 1149.1 boundary-scan) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Typical Gates — 200,000
Maximum System Gates — 513,000
Logic Elements (LEs) — 9,984
Embedded Array Blocks (EABs) — 12
Total RAM Bits — 98,304
User I/O Pins — 470
Dedicated Inputs — 6
Technology / Process — 0.22 µm CMOS SRAM
Core Supply Voltage — 2.5 V (2.3 V to 2.7 V)
I/O Supply Voltage — 2.5 V / 3.3 V (5 V tolerant I/O available)
Propagation Delay — 0.4 ns to 0.6 ns (per LE)
Maximum Internal Frequency — 200 MHz
Configuration Method — SRAM, JTAG (IEEE 1149.1), serial configuration EPROM
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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