EPF6010ATC100-3N vs EPF6016AFC100-3 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EPF6010ATC100-3N par Intel et EPF6016AFC100-3 par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Intel
EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel
EPF6010ATC100-3N ⚠ Dernier achat
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EPF6010ATC100-3N | EPF6016AFC100-3 |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,95 | $18,23 |
| Family | FLEX 6000 | FLEX 6000 |
| Logic Elements / Cells | 880 | — |
| Equivalent Gate Count | 10,000 gates | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 88 | — |
| User I/Os | 71 | — |
| Supply Voltage (Operating) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Maximum Internal Frequency | 142.86 MHz | 142.86 MHz |
| Process Technology | 0.42 µm CMOS | 0.42 um CMOS |
| Speed Grade | -3 | — |
| Boîtier | 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm) | 100-pin FineLine BGA (FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | 0 °C to +70 °C (commercial) | 0 C to 85 C (Commercial) |
| Programming Method | In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster | — |
| Niveau MSL | 3 (168 hours) | — |
| Statut RoHS | Compliant | unknown |
| Device Type | — | FPGA (Field Programmable Gate Array) |
| Logic Gates | — | 16,000 gates |
| Logic Cells | — | 1,320 cells |
| User I/O | — | 81 |
| Tension d'alimentation | — | 3.3 V |
| Architecture | — | SRAM-based, 4-input LUT |
| Configuration Method | — | SRAM (in-system programmable) |
| JTAG Support | — | IEEE 1149.1 Boundary Scan |