EPF6016AFC100-3 vs EPF6010ATC100-3N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPF6016AFC100-3 par Intel et EPF6010ATC100-3N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Intel
EPF6010ATC100-3N EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N - FLEX 6000 FPGA, 880 Cells, 100-TQFP | Intel

EPF6010ATC100-3N ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre EPF6016AFC100-3 EPF6010ATC100-3N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Obsolete Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $18,23 $9,95
Family FLEX 6000 FLEX 6000
Device Type FPGA (Field Programmable Gate Array) —
Logic Gates 16,000 gates —
Logic Cells 1,320 cells —
Maximum Internal Frequency 142.86 MHz 142.86 MHz
Process Technology 0.42 um CMOS 0.42 µm CMOS
User I/O 81 —
Tension d'alimentation 3.3 V —
Boîtier 100-pin FineLine BGA (FBGA) 100-pin TQFP (14 x 14 x 1.4 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Température de fonctionnement 0 C to 85 C (Commercial) 0 °C to +70 °C (commercial)
Architecture SRAM-based, 4-input LUT —
Configuration Method SRAM (in-system programmable) —
JTAG Support IEEE 1149.1 Boundary Scan —
Statut RoHS unknown Compliant
Logic Elements / Cells — 880
Equivalent Gate Count — 10,000 gates
Logic Array Blocks (LABs) — 88
User I/Os — 71
Supply Voltage (Operating) — 3.0 V to 3.6 V
Speed Grade — -3
Programming Method — In-system SRAM via ByteBlaster/BitBlaster
Niveau MSL — 3 (168 hours)

Fiches techniques et ressources

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