EPM570GM100C5N vs EPM570M100C5N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de EPM570GM100C5N par Intel et EPM570M100C5N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre EPM570GM100C5N EPM570M100C5N
Marque Intel Intel
Catégorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $10,40 $11,85
Family MAX II MAX II
Device Type CPLD (Complex Programmable Logic Device) CPLD (Complex Programmable Logic Device)
Macro Cells 440 —
User I/Os 76 76
Logic Elements 440 570
Nombre de broches 100 100
Package Type Micro FBGA-100 (MBGA), 6 x 6 mm, 0.5 mm pitch —
Pin-to-Pin Delay (tPD) 5.4 ns —
Maximum Frequency 201.1 MHz —
Température de fonctionnement -40C to +125C (industrial) —
Tension d'alimentation 1.8 V core (MultiVolt I/O 1.5 V to 3.3 V) —
Program Memory Type Flash (non-volatile, in-system programmable) —
Programming Interface JTAG (IEEE 1149.1) JTAG (IEEE 1149.1) and ISP
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Lead Free / RoHS Yes / Compliant —
Logic Family CMOS —
Series — EPM570
Macrocell Count — 440
Number of Logic Blocks / Array Blocks — [DATA_NEEDED: number of LABs]
Boîtier — 100-MBGA (FineLine BGA, 6 x 6 mm, 0.5 mm pitch)
Maximum Frequency (fMAX) — 201.1 MHz
Pin-to-Pin Propagation Delay — 5.4 ns
Operating Supply Voltage (Core) — 2.5 V / 3.3 V
I/O Voltage Support — 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (MultiVolt)
On-Chip User Flash Memory (UFM) — 8 Kbits
Process Technology — 0.18 um, 6-layer-metal flash
Plage de température de fonctionnement — 0 C to +85 C (Commercial)
Statut RoHS — Lead-Free / Compliant
Moisture Sensitivity Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Fiches techniques et ressources

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