FAN7392 vs FAN7392MX Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FAN7392 par onsemi et FAN7392MX par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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FAN7392MX FAN7392MX - 600V 3A Half-Bridge Gate Driver | onsemi

FAN7392MX - 600V 3A Half-Bridge Gate Driver | onsemi

FAN7392MX ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre FAN7392 FAN7392MX
Marque onsemi onsemi
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,88 $1,16
Fonction Half-bridge gate driver (high-side + low-side) —
Topology Supported Half-bridge, full-bridge, 3-phase inverter —
Floating Channel Voltage (VB-VS) +600 V (maximum) —
VBS Supply Voltage 10 V to 20 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Voltage (HIN, LIN) 3.3 V and 5 V CMOS compatible —
Peak Source Current (HO) 2.5 A (typical) —
Peak Sink Current (LO) 2.5 A (typical) —
Propagation Delay (typ) 130 ns —
Channel-to-Channel Matching 30 ns (typical) —
UVLO Threshold (VCC/VBS) Per datasheet (typical ~8 V) —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Package (FAN7392) 14-DIP (standard) —
Package (FAN7392N) 14-DIP —
Package (FAN7392M / MX) 14-SOIC surface-mount —
Type de montage Through-hole (DIP) or Surface Mount (SOIC) Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Configuration de sortie Non-inverting, independent HIN/LIN inputs —
Driver Type — Half-Bridge (high-side + low-side)
Number of Drivers — 2
Channel Type — Independent
Driven Configuration — Half-Bridge
Gate Type — IGBT, N-Channel MOSFET
Input Type — Non-Inverting
High-Side Floating Supply Voltage — up to 625 V (600V operating)
Logic Voltage VIL / VIH — 4.5 V / 9.5 V (relative to VDD)
Logic Compatibility — 3.3V / 5V input
Supply Voltage VDD — 10 V to 20 V
Peak Output Current (Source / Sink) — 3 A / 3 A
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise/fall time ns]
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Bootstrap Diode — Integrated
SD (Shutdown) Pin — Yes
UVLO — VDD and VBS under-voltage lockout
Température de fonctionnement — -40C to +125C
Boîtier — 16-SOIC (M1X suffix, wide-body)

Fiches techniques et ressources

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