H58G56AK6PX032N vs H58G46AK6PX033 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H58G56AK6PX032N par SK hynix et H58G46AK6PX033 par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H58G56AK6PX032N H58G46AK6PX033
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $11,35 $1,00
Type de mémoire Volatile LPDDR5 SDRAM
Memory Format DRAM —
Technology LPDDR5 SDRAM —
Taille de mémoire 4 GB (32 Gb) —
Organisation de la mémoire 512M x 64 (x16 device configuration) x16
Débit de données 6400 Mbps per pin 6400 Mbps/pin
Supply Voltage (VDD2 / VDDQ / VDD1) 1.8 V / 1.05 V / 0.5 V —
Interface Parallel LPDDR5 (JEDEC low-power DRAM interface)
Boîtier 315-FBGA 315-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Product Status Active —
Packaging Tray —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density — 16 Gb (2 GB)
Supply Voltage (VDD2) — 1.8 V
Supply Voltage (VDD1) — 1.05 V
Supply Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Application Grade — Automotive
Memory Category — DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Application Domains — Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules
Refresh / Timing Details — [DATA_NEEDED: tCK and refresh specification]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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