H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Actif
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,18 $3,18
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) —
Tension d'alimentation 1.2 V (VDD) 1.2 V
Interface DDR4 SSTL12 DDR4 (JEDEC)
Internal Prefetch 8n —
Boîtier 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
Type de montage Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
Sans halogène Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
Débit de données — 2400 Mbps (PC2400)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

Fiches techniques et ressources

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