H5AN8G6NAFR-UHC vs H5AN8G4NAFR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix et H5AN8G4NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,74 $3,05
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Density 8 Gb 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 2G x4
Tension d'alimentation 1.2 V —
Débit de données 2400 MT/s —
Boîtier FBGA-96 78-ball FBGA
Température de fonctionnement 0°C to +85°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Number of Terminals 96 —
Package Code TFBGA —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
RoHS Compliant Yes —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Refresh Auto self-refresh —
Manufacturer — SK hynix (Hynix Semiconductor)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade — UHC
Interface — Synchronous, dual rising/falling clock edges
Clock Input — Differential CK_t / CK_c
Type de montage — Surface Mount
Statut RoHS — Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Family Variants — H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC
Datasheet Revision — Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Packaging — [DATA_NEEDED: reel / tray quantity]

Fiches techniques et ressources

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