H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,25 | $5,74 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boîtier | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | — |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | — |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +85°C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | Auto self-refresh |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Débit de données | — | 2400 MT/s |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |