H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G6NCJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-PBC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-PBC H5AN8G6NCJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,30 $0,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Organization 8Gb x16 (512M x 16) —
Taille de mémoire 8 Gbit —
Débit de données [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] —
Family Data Rate Range Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) FBGA-96 (96-ball)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement 0C to +95C 0C to +95C
Interface Parallel, synchronous to both clock edges —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Dynamic On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Lead-Free / Halogen-Free Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) Yes (per family datasheet)
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]
Density — 8 Gb
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Tension d'alimentation — 1.2 V
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes

Fiches techniques et ressources

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