H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NCR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Mobile LPDDR4 |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $84,97 | $9,20 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interface | Parallel | CMOS, Double Data Rate IV |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA-96) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Memory Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Die Revision | — | C |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Configuration | — | 1 Channel, 1 Rank |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh scheme] |
| Factory Packing Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] |
| Application | — | Main memory, embedded computing, industrial controllers |