H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NCJR-XNC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NCJR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG6NCMR-XNC | H5ANAG6NCJR-XNC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $31,40 | $84,97 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | 16 Gbit |
| Memory Organization | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | 3200 Mbps/pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Speed Grade | XN (3200) | — |
| Boîtier | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Status | Active | — |
| Statut RoHS | RoHS Compliant | Compliant |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Packaging | — | Tray |