H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Mobile LPDDR4
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,40 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Technology CMOS —
Power Class Normal Power —
Interface Parallel CMOS, Double Data Rate IV
Speed Grade XN (3200) [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 (PBGA-96)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Product Status Active —
Statut RoHS RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 16 Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire — 1G x 16
Die Revision — C
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

Fiches techniques et ressources

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