H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NCR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix et H5ANAG6NCR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NCR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $31,40 $0,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Débit de données 3200 Mbps/pin [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology CMOS CMOS
Power Class Normal Power —
Interface Parallel DDR4 (Double Data Rate 4)
Speed Grade XN (3200) —
Boîtier FBGA-96 96-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Product Status Active —
Statut RoHS RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 16 Gbit
Organisation de la mémoire — 2G x 8
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Application — Main memory (PC / server / embedded)

Fiches techniques et ressources

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