H5ANAG6NCMR-XNI vs H5ANAG6NCMR-XNC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCMR-XNI par SK hynix et H5ANAG6NCMR-XNC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI - DDR4 16Gb 3200Mbps DRAM | SK Hynix

H5ANAG6NCMR-XNI ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCMR-XNI H5ANAG6NCMR-XNC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,95 $31,40
Type de mémoire DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM (Volatile DRAM)
Taille de mémoire 16 Gb 16 Gb
Memory Organization 1G x 16 1G x 16
Débit de données 3200 Mbps (DDR4-3200, XN speed bin) 3200 Mbps/pin
Tension d'alimentation 1.2 V —
Technology CMOS Double Data Rate IV Synchronous DRAM CMOS
Power Class Normal Power Normal Power
Boîtier FBGA-96 FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel (DDR4) Parallel
Product Status Active Active
Application Domain Main memory, industrial controllers, computing modules, consumer electronics —
Memory Format DRAM —
Speed Bin Family UH/VK/WM/XN —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP Supply Voltage] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade — XN (3200)
Statut RoHS — RoHS Compliant
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200]

Fiches techniques et ressources

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