H5ANAG6NCR-PBC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-PBC H5ANAG6NCR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Mobile LPDDR4
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $70,20 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16Gb (2GB) —
Organisation de la mémoire x16 (1G x 16) 1G x 16
Tension d'alimentation 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Transfer Rate 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps]) —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96 (PBGA-96)
Number of Terminals 96 balls —
Température de fonctionnement 0C to 85C [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Maximum Standby Current [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Memory Density — 16 Gb (2 GB)
Interface — CMOS, Double Data Rate IV
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Supply Voltage (VDD) — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Refresh — [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

Fiches techniques et ressources

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