H5ANAG6NCR-RDC vs H5ANAG6NCR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NCR-RDC par SK hynix et H5ANAG6NCR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NCR-RDC H5ANAG6NCR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Mobile LPDDR4
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $72,10 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gb (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Débit de données 3200 Mbps (PC4-25600 class) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Boîtier 96-ball FBGA FBGA-96 (PBGA-96)
Package Body Rectangular, 8 mm width —
Maximum Standby Current 0.074 A —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Terminals (Balls) 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
Write Leveling Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Refresh Interval [DATA_NEEDED: Refresh Interval] —
Memory Density — 16 Gb (2 GB)
Interface — CMOS, Double Data Rate IV
Die Revision — C
Speed Grade — [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate]
Configuration — 1 Channel, 1 Rank
Refresh — [DATA_NEEDED: Refresh scheme]
Factory Packing Quantity — [DATA_NEEDED: Standard packing quantity]
Application — Main memory, embedded computing, industrial controllers

Fiches techniques et ressources

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